股票配资的风险控制 全球氮化镓龙头英诺赛科递表联交所：复合年增长率达194.8%，发展势头强劲

（原标题：全球氮化镓龙头英诺赛科递表联交所：复合年增长率达194.8%，发展势头强劲）

6月12日，全球氮化镓行业龙头英诺赛科（苏州）科技股份有限公司正式向联交所递交A1招股书，拟赴港上市，中金公司、招银国际担任联席保荐人。

英诺赛科是全球最大的氮化镓芯片制造企业，也是全球功率半导体革命的领导者，已连续两年入选胡润研究院《全球独角兽榜》。公司采用IDM全产业链商业模式，并在全球范围内首次实现了先进的8英寸氮化镓量产工艺。

近年来，公司发展势头强，收入由2021年的0.68亿元人民币，增长至2023年的5.92亿元，复合年增长率高达194.8%。根据全球知名咨询公司弗若斯特沙利文的资料，2023年公司在全球氮化镓功率器件半导体公司中排名第一，按收入计市场份额高达33.7%，氮化镓芯片累计出货量已超过5 亿颗。

高算力和可再生能源应用等新兴领域的发展一直在改变世界，氮化镓是一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料，已成为众多新兴领域持续变革的核心。英诺赛科一直通过不断创新引领技术发展潮流，其氮化镓产品，包括分立器件、集成电路、晶圆及模组，适合消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等广泛领域的客户。

公司拥有业内最先进的量产技术能力，在规模化、可靠性与成本上具备极大优势。凭借其强大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产技术，公司已突破每月10,000 片晶圆的生产瓶颈，实现了产业规模的商业化，晶圆生产良率超过95%。

公司在全球有约700项专利及专利申请，涵盖芯片设计、器件架构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。凭借在GaN技术方面的全面专业技术，英诺赛科提供高性能及可靠的GaN分立器件，产品研发范围覆盖15V至1,200V的低、中及高电压范围，并提供不同的封装选择。

公司在发展中国内地市场的同时，不断拓展境外市场。公司在苏州、珠海建立工厂的同时，还在在硅谷、首尔、比利时等地设立子公司，2023年公司境外销售收入近人民币5800万元，占同期总收入近10%。全球化的业务布局，有助于迅速提升公司的知名度与全球影响力，推动公司业务的持续高速发展。

放眼全球，功率半导体行业竞争激烈，根据弗若斯特沙利文的资料，全球功率半导体行业高度集中，前十家公司的市场份额合计为66.9%。英诺赛科凭借IDM模式优势、技术硬实力以及产业规模的商业化能力，一直保持在氮化镓功率半导体行业的最前沿，未来借力港股上市的新一轮助力，必将在全球化产业竞争中谱写新篇章，行稳致远，再创辉煌。

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